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钨铜合金高温液相烧结法由于w、cu的熔点相差很大，可以采用高温液相烧结法制备钨铜合金，通过在铜熔点以上的高温液相烧结使其致密化。其优点是生产工序简单易控，缺点是烧结温度高、烧结时间长、烧结性能差，烧结密度低(只为理论密度的90%-95%)，不能满足使用要求。为了提高其密度，在液相烧结之后需增加后处理工序:复压、热压、热锻等。但这样增加了工艺的复杂性，使其应用受到---。a.k.bhalla等人采用爆l炸压实法制备的钨铜合金有较好高温液相烧结效果。
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钨铜电子封装片提供热传导之间的170和220 w / mk的降低热膨胀系数相匹配的半导体二极管制造（5.6-9.0 ppm/℃） 。激光模具通常是建立在gaas基板使用，如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。后的化学成分可能包括或钢群化錄铟（ingap) 。近，铟家氮化物（ingan）激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化嫁之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。
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钨铜合金活化液相烧结法由于高温液相烧结法不能获得接近理论密度的钨铜合金，采用烧结后处理则增加工艺复杂程度和生产成本。而通过加入活化元素来提高烧结活性的活化硕士文献评述液相烧结法不仅降低了烧结温度，缩短了烧结时间，而且使得烧结密度---提高。j.l.jolinson和r.m.german等人研究了过渡族元素pd、ni、co、fe的活化效果。
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